[发明专利]相移空白掩模及光掩模有效
申请号: | 201510848681.1 | 申请日: | 2015-11-27 |
公开(公告)号: | CN106054515B | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 南基守;申澈;李钟华;梁澈圭;崔珉箕;金昌俊;张圭珍 | 申请(专利权)人: | 株式会社SSTECH |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 樊晓焕;张天舒 |
地址: | 韩国大邱广域达西*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于制造光掩模的空白掩模,其可实现32nm级以下,优选地,14nm级以下,更优选地,10nm级以下的微细图案。为此,在透明基板上提供相移膜、光屏蔽膜、刻蚀阻止膜和硬膜,所述光屏蔽膜具有成分不同的两层或多层的多层结构,其中一种必须包含氧(O),必须包含氧(O)的光屏蔽层占光屏蔽膜总厚度的50%‑100%,所述相移膜具有10%‑50%的透射率。 | ||
搜索关键词: | 相移 空白 光掩模 | ||
【主权项】:
具有位于透明基板上的相移膜和光屏蔽膜的相移空白掩模,其特征在于,所述光屏蔽膜包括多层膜,所述多层膜具有两层或多层,包含氧(O)和氮(N)中至少之一,所述膜的至少之一必须包含氧(O),所述必须包含氧(O)的膜占所述光屏蔽膜总厚度的50%‑95%。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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