[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置的制造装置有效
| 申请号： | 201510848886.X | 申请日： | 2015-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105990124B | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 白河达彦;高桥健司;高野英治;志摩真也 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/263;B32B43/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能提高支撑基板的材料选择自由度的半导体装置的制造方法及半导体装置的制造装置。本实施方式的半导体装置的制造方法是对具备半导体基板、支撑基板及接合层的积层体，从支撑基板侧照射具有0.11至0.14eV的能量的电磁波，所述支撑基板含有硅，所述接合层配置在半导体基板与支撑基板之间，且将半导体基板与支撑基板接合。而且，在半导体装置的制造方法中，将半导体基板从支撑基板分离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：对具备半导体基板、支撑基板、接合层及转换层的积层体，从所述支撑基板侧照射具有0.11至0.14eV的能量的电磁波，所述支撑基板含有硅，所述接合层配置在所述半导体基板与所述支撑基板之间，且将所述半导体基板与所述支撑基板接合，所述转换层配置在所述支撑基板与所述接合层之间或被夹在两层所述接合层中，包含金属，且将所述电磁波转换为热而传递到所述接合层，所述积层体中，所述半导体基板的与所述接合层相反侧的面被研磨；且所述半导体装置的制造方法是将所述半导体基板从所述支撑基板分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
