[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201510848950.4 | 申请日： | 2015-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN106816370B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 严琴 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 汪洋;李侬<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面上形成有第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层上沉积形成金属硅化物，其中，采用化学气相沉积法沉积所述金属硅化物，且使其沉积温度大于440℃；在所述金属硅化物上沉积形成掺杂的第二多晶硅层。根据本发明的制造方法，通过增加金属硅化物的沉积温度，以及延长金属硅化物上的多晶硅层中的未掺杂的多晶硅的沉积时间来降低相应材料层的应力，进而防止其在之后退火步骤中发生应力的变化而导致金属硅化物和其上层的多晶硅层发生剥离问题，因此，提高了器件的良率和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：/n步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面上形成有第一多晶硅层；/n步骤S2：在所述第一多晶硅层上沉积形成金属硅化物，其中，采用化学气相沉积法沉积所述金属硅化物，且使其沉积温度大于440℃；/n步骤S3：在所述金属硅化物上沉积形成掺杂的第二多晶硅层，所述掺杂的第二多晶硅层包括自下而上的未掺杂的多晶硅和掺杂的多晶硅，通过延长所述未掺杂的多晶硅的沉积时间来降低所述第二多晶硅层的应力。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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