[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201510849120.3 | 申请日： | 2015-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105990292B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 右田达夫;小木曾浩二 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具备第1半导体基板、第2半导体基板、第1金属层、第2金属层、第3金属层、第1合金层、以及第2合金层。第1半导体基板与第2半导体基板相互对向。第1金属层设置在第1半导体基板的第2半导体基板侧。第2金属层设置在第2半导体基板的第1半导体基板侧。第3金属层配置在第1金属层与第2金属层之间。第1合金层配置在第1金属层与第3金属层之间，且包含第1金属层的成分与第3金属层的成分。第2合金层配置在第2金属层与第3金属层之间，且包含第2金属层的成分与第3金属层的成分。第1及第2金属层的至少一方为中央部相比其周缘部而向远离第3金属层的方向凹陷。 | ||
| 搜索关键词： | 金属层 半导体基板 第1金属层 合金层 半导体装置 金属层配置 中央部 周缘部 凹陷 对向 配置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于具备：相互对向的第1及第2半导体基板；第1金属层，设置在所述第1半导体基板的所述第2半导体基板侧；第2金属层，设置在所述第2半导体基板的所述第1半导体基板侧；第3金属层，配置在所述第1金属层与所述第2金属层之间；第1合金层，配置在所述第1金属层与所述第3金属层之间，且包含所述第1金属层的成分与所述第3金属层的成分；以及第2合金层，配置在所述第2金属层与所述第3金属层之间，且包含所述第2金属层的成分与所述第3金属层的成分；且所述第1及第2金属层的至少一方为中央部相比其周缘部而向远离所述第3金属层的方向凹陷；若将所述第1金属层与所述第2金属层在所述中央部的间隔设为d1、将所述第1金属层与所述第2金属层在所述周缘部的间隔设为d2、将所述凹陷的深度设为d3，则满足d1≥8μm、d2＜8μm、d3≤3.5μm。
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