[发明专利]加速度传感器及其制造方法

摘要

本发明提供一种加速度传感器及其制造方法。所述制造方法包括：在单晶硅基底上刻蚀包括为z轴向加速度敏感电容提供空间的第一腔体；在刻蚀了各所述腔体的单晶硅基底上生成氧化硅层；在生成氧化硅层后的所述单晶硅基底上采用硅硅键合方式覆盖单晶硅基板，并予以减薄，以形成敏感器件层；所述敏感器件层用于形成包含z轴向加速度敏感电容的敏感电容；在所述敏感器件层上生成氧化硅薄膜，并将除所述z轴向加速度敏感电容结构中悬臂梁处以外的氧化硅薄膜腐蚀掉；在敏感器件层上沉淀与各敏感电容相连的金属电极；按照预设的包含竖直轴向加速度敏感电容的结构图案，将位于相应腔体上的敏感器件层进行刻蚀。本发明解决了z轴加速度传感器灵敏度低的问题。

主权项

1.一种制造加速度传感器的方法，其特征在于，包括：在单晶硅基底上刻蚀至少一个腔体；其中，所述腔体包括：为竖直轴向加速度敏感电容提供运动空间的第一腔体；在刻蚀了各所述腔体的单晶硅基底上生成氧化硅层；在生成氧化硅层后的所述单晶硅基底上采用硅硅键合方式覆盖单晶硅基板，并予以减薄，形成敏感器件层；其中，所述单晶硅基板覆盖所有腔体；所述敏感器件层用于形成包含竖直轴向加速度敏感电容的敏感电容；在所述敏感器件层上生成氧化硅薄膜，并将除所述竖直轴向加速度敏感电容结构中悬臂梁处以外的氧化硅层腐蚀掉；在所述敏感器件层上沉淀与竖直轴向加速度敏感电容相连的金属电极；按照预设的包含所述竖直轴向加速度敏感电容的结构图案，将位于相应腔体上的敏感器件层进行刻蚀，以得到对应所述结构图案中的感应电容结构；其中，所述竖直轴向加速度敏感电容的结构图案包括：均悬于所述第一腔体的第一固定梳齿的图案、由所述第一固定梳齿的图案两端延伸至所述第一腔体外边沿的悬臂梁的图案、包含与所述第一固定梳齿图案有间隙啮合的第一可动梳齿图案的第一质量块的图案、以及横跨所述第一腔体并将所述第一质量块图案分为质量不等两部分的扭转梁的图案，其中，所述扭转梁图案的两端部位于所述第一腔体的外边沿上。