[发明专利]用于监测半导体装置中边缘斜角去除区域的方法和装置以及电镀系统有效
申请号: | 201510849542.0 | 申请日: | 2015-11-27 |
公开(公告)号: | CN106158699B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 吴朝栋;余国忠;胡宗皓;翁昇平 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66;C25D7/12 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了用于监测半导体装置中边缘斜角去除区域的方法和装置以及电镀系统。半导体装置包括转移室、退火站、机械臂和边缘检测器。转移室配置为与电镀装置交界。退火站布置为使晶圆退火。机械臂布置为将晶圆从转移室转移至退火站。边缘检测器设置在机械臂上方以监测由机械臂携运的晶圆的边缘斜角去除区域的至少一部分。 | ||
搜索关键词: | 用于 监测 半导体 装置 边缘 斜角 去除 区域 方法 以及 电镀 系统 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:转移室,配置为与电镀装置交界;退火站,布置为使晶圆退火;机械臂,布置为将所述晶圆从所述转移室转移至所述退火站;以及边缘检测器,设置在所述机械臂上方,以监测由所述机械臂携运的所述晶圆的边缘斜角去除区域的至少一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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