[发明专利]用于监测半导体装置中边缘斜角去除区域的方法和装置以及电镀系统有效

专利信息
申请号: 201510849542.0 申请日: 2015-11-27
公开(公告)号: CN106158699B 公开(公告)日: 2020-09-18
发明(设计)人: 吴朝栋;余国忠;胡宗皓;翁昇平 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/66;C25D7/12
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供了用于监测半导体装置中边缘斜角去除区域的方法和装置以及电镀系统。半导体装置包括转移室、退火站、机械臂和边缘检测器。转移室配置为与电镀装置交界。退火站布置为使晶圆退火。机械臂布置为将晶圆从转移室转移至退火站。边缘检测器设置在机械臂上方以监测由机械臂携运的晶圆的边缘斜角去除区域的至少一部分。
搜索关键词: 用于 监测 半导体 装置 边缘 斜角 去除 区域 方法 以及 电镀 系统
【主权项】:
一种半导体装置,包括:转移室,配置为与电镀装置交界;退火站,布置为使晶圆退火;机械臂,布置为将所述晶圆从所述转移室转移至所述退火站;以及边缘检测器,设置在所述机械臂上方,以监测由所述机械臂携运的所述晶圆的边缘斜角去除区域的至少一部分。
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