[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201510850009.6 申请日: 2015-11-27
公开(公告)号: CN106206329B 公开(公告)日: 2018-12-14
发明(设计)人: 深山真哉;尾山幸史;谷口庆辅 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L23/02;H01L23/538;H01L23/31
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 张世俊
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的实施方式提供一种半导体装置,能够抑制积层的多个半导体芯片间的间隔不均。本实施方式的半导体装置包含在第1面上设有第1凸块的半导体芯片。多个第1粘接部设置在半导体芯片的第1面上。第2粘接部设置在半导体芯片的第1面上,刚性比第1粘接部低。第2粘接部被设置为,与多个第1粘接部中离半导体芯片的第1面的中心或重心最远的第1粘接部相比,离该中心或该重心更远。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于包括:半导体芯片,在第1面上设有第1凸块;多个第1粘接部,设置在所述半导体芯片的所述第1面上;以及第2粘接部,设置在所述半导体芯片的所述第1面上且刚性比所述第1粘接部低,且被设置为,与所述多个第1粘接部中离所述半导体芯片的所述第1面的中心或重心最远的第1粘接部相比,离该中心或该重心更远;所述半导体芯片的所述第1面具有包含短边及长边的多边形的形状,所述第2粘接部设置在由第1直线、所述短边及所述长边包围的所述第1面上的第1区域,所述第1直线是如下直线:连结所述多个第1粘接部中位于所述第1面的所述短边侧且离所述第1面的几何中心最远的第1粘接部与所述多个第1粘接部中位于所述第1面的所述长边侧且离所述第1面的几何中心最远的第1粘接部。
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