[发明专利]一种西洋甘菊盆栽化栽培方法

摘要

本发明涉及种植业技术领域，具体涉及一种西洋甘菊盆栽化栽培方法，将泥炭土、腐殖土、蛭石、凹凸土、蛋壳粉、羽毛粉、草木灰混合得到栽培土，每年6月份选优良西洋甘菊植株，收花后割除残茎，将西洋甘菊根系移栽至栽培盆内，并在西洋甘菊根系上培一层8-12cm厚的栽培土，每隔3-5天向栽培盆内施洒由浓度为1.5-1.8%的多效唑溶液、浓度为2-2.1%的硝硫基复合肥溶液、浓度为1-1.2%的寡糖溶液、浓度为2-3%的过磷酸钙溶液混合制成的矮壮液，连续施洒至长出新生花芽，待西洋甘菊根系长出高度为3-5cm的新苗时，每天向新苗叶面喷洒雾化后的腐殖酸铁10000倍液；待西洋甘菊新苗长出新生花芽，将1000mg/L的赤霉素溶液与50mg/L的甘氨酸水溶液按1:1体积比混合、雾化后，喷洒新生花芽，每天喷洒一次，连续喷洒至西洋甘菊花期结束。

主权项

一种西洋甘菊盆栽化栽培方法，其特征在于，栽培步骤如下：a、将泥炭土、腐殖土、蛭石、凹凸土、蛋壳粉、羽毛粉、草木灰按2:1:0.5:0.2:1:1:0.5的重量比混合得到栽培土；b、每年6月份选优良西洋甘菊植株，收花后割除残茎，带土挖取西洋甘菊的根系，将西洋甘菊根系移栽至栽培盆内，并在西洋甘菊根系上培一层8‑10cm厚的栽培土；c、每隔3‑5天向栽培盆内施洒由浓度为1.5‑1.8%的多效唑溶液、浓度为2‑2.1%的硝硫基复合肥溶液、浓度为1‑1.2%的寡糖溶液、浓度为2‑3%的过磷酸钙溶液按1;1:2：1体积比混合制成的矮壮液，连续施洒至西洋甘菊新苗长出新生花芽；d、待西洋甘菊长出高度为3‑5cm的新苗时，每天向新苗叶面喷洒雾化后的腐殖酸铁10000倍液；e、待西洋甘菊新苗长出新生花芽，将1000mg/L的赤霉素溶液与50mg/L的甘氨酸水溶液按1:1的体积比混合、雾化后，喷洒新生花芽，每天喷洒一次，连续喷洒至西洋甘菊花期结束。