[发明专利]一种高粱栽培方法在审
申请号: | 201510851523.1 | 申请日: | 2015-11-30 |
公开(公告)号: | CN105393770A | 公开(公告)日: | 2016-03-16 |
发明(设计)人: | 尹成飞 | 申请(专利权)人: | 全椒县大地种植专业合作社 |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 239500 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明涉及农业种植技术领域,具体涉及一种高粱栽培方法。将土地翻耕30cm以上,翻耕过程每亩均匀施洒20-30kg氮肥、30-50kg磷肥、10-20kg钾肥,起垄,垄宽40-50cm,垄高50-60cm,在垄上挖垄上种穴,垄上种穴间距为40-60cm,每个垄上种穴中撒播1-2粒高粱种,在垄底挖垄底种穴,垄底种穴与垄上种穴错开分布,每个垄底种穴位于两个垄上种穴正中位置,每个垄底种穴撒播1-2粒高粱种,垄底高粱出苗后,用200mg/L的矮壮素水剂喷洒在高粱植株上,连续喷洒4次,喷洒间隔为15-20天。 | ||
搜索关键词: | 一种 高粱 栽培 方法 | ||
【主权项】:
一种高粱栽培方法,其特征在于,包括以下步骤:将土地翻耕30cm以上,翻耕过程每亩均匀施洒20‑30kg氮肥、30‑50kg磷肥、10‑20kg钾肥,起垄,垄宽40‑50cm,垄高50‑60cm,在垄上挖垄上种穴,垄上种穴间距为40‑60cm,每个垄上种穴中撒播1‑2粒高粱种,在垄底挖垄底种穴,垄底种穴与垄上种穴错开分布,每个垄底种穴位于两个垄上种穴正中位置,每个垄底种穴撒播1‑2粒高粱种,垄底高粱出苗后,用200mg/L的矮壮素水剂喷洒在高粱植株上,连续喷洒4次,喷洒间隔为15‑20天。
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