[发明专利]锰掺杂铽铁氧化物的磁性温敏材料及其单晶和多晶的制备方法

摘要

本发明公开了一种锰掺杂铽铁氧化物的磁性温敏材料及其单晶和多晶的制备方法，由Tb₄O₇、MnO₂和Fe₂O₃粉末以固相反应法合成TbFe_1-xMn_xO₃多晶材料，再由多晶材料用光学浮区炉法生长成单晶材料。本发明磁性温敏材料无须外加磁场辅助，磁转变温度敏感度高，磁转变临界温度可调节且可达到室温的材料，应用于磁温敏器件。本发明磁性温敏材料可通过改变配比获得磁转变临界温度范围在-264.65℃到25.85℃的不同材料，这种相变使得磁转变速度比传统的居里温度附近发生磁转变迅速得多，且在临界温度以上具有自发磁化，因此转变前后无需外加磁场诱导，本发明材料优于传统的依赖于居里温度附近磁转变的磁敏温度器件材料。

主权项

一种锰掺杂铽铁氧化物的磁性温敏材料，其特征在于：具有单晶或多晶的材料形式，化学式为TbFe_1‑xMn_xO₃，其中R为稀土元素Tb，0＜x≤0.8。