[发明专利]包含鳍式结构的半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201510852268.2 | 申请日： | 2015-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN106558500B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 赵元舜;曹志彬;陈豪育 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于包含鳍式结构的半导体装置及其制造方法。根据一实施例的用于制造半导体装置的方法包含在衬底上方形成鳍式结构。所述鳍式结构具有顶表面及侧表面，并且所述顶表面定位于从所述衬底测量的高度H0处。在所述鳍式结构及所述衬底上方形成绝缘层。在第一凹陷中，使所述绝缘层凹陷到从所述衬底起的高度T1，使得所述鳍式结构的上部部分从所述绝缘层暴露。在所述已暴露上部部分上方形成半导体层。在形成所述半导体层之后，在第二凹陷中，使所述绝缘层凹陷到从所述衬底起的高度T2，使得所述鳍式结构的中间部分从所述绝缘层暴露。在所述鳍式结构的具有所述半导体层的所述上部部分以及所述已暴露中间部分上方形成栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 结构 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体装置的方法，其包括：在衬底上方形成鳍式结构，所述鳍式结构具有顶表面及侧表面，所述顶表面定位于从所述衬底测量的高度H0处；在所述鳍式结构及所述衬底上方形成绝缘层；使所述绝缘层第一凹陷到从所述衬底测量的高度T1，使得所述鳍式结构的上部部分从所述绝缘层暴露；在所述鳍式结构的所述已暴露上部部分上方形成半导体层；在形成所述半导体层之后，使所述绝缘层第二凹陷到从所述衬底测量的高度T2，使得所述鳍式结构的中间部分从所述绝缘层暴露；以及在所述鳍式结构的具有所述半导体层的所述上部部分以及所述已暴露中间部分上方形成栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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