[发明专利]基于模型的规则表产生有效
申请号: | 201510853068.9 | 申请日: | 2015-11-30 |
公开(公告)号: | CN106469234B | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 余瑞晋;周硕彦 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G06F30/392 | 分类号: | G06F30/392;G06F30/398 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 路勇 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及基于模型的规则表产生。具体的,本发明提供一种用于制造半导体装置的方法,其包含例如从设计室接收集成电路IC布局图案。在一些实施例中,利用过程模拟模型以通过反向光刻技术ILT过程产生自由形式布局图案。所述过程模拟模型经配置以模拟用于所述IC布局图案的处理条件。在各种实施例中,所述自由形式布局图案与所述IC布局图案相关联。在一些实例中,产生简化布局图案,其中所述简化布局图案是所述自由形式布局图案的近似。之后,基于所述简化布局图案可以计算亚分辨率辅助特征SRAF规则且可以产生SRAF规则表。 | ||
搜索关键词: | 基于 模型 规则 产生 | ||
【主权项】:
一种半导体装置制造的方法,其包括:接收集成电路IC布局图案;利用经配置以模拟用于所述IC布局图案的处理条件的过程模拟模型,通过基于模型MB的掩模校正过程产生第二布局图案,其中所述第二布局图案与所述IC布局图案相关联;产生第三布局图案,所述第三布局图案是所述第二布局图案的近似;以及基于所述第三布局图案计算亚分辨率辅助特征SRAF规则。
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