[发明专利]用于互连方案的方法在审
| 申请号： | 201510853081.4 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106373921A | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 姚欣洁;卡罗斯·H·迪雅兹;蔡政勋;李忠儒;黄建桦;田希文;眭晓林;包天一;吴永旭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及用于互连方案的方法。具体的，本发明提供一种制造半导体装置的方法，所述方法包含形成第一电介质层于衬底上；形成第一沟槽于所述第一电介质层中；形成金属线于所述第一沟槽中；去除所述金属线的第一部分以形成第二沟槽，并去除所述金属线的第二部分以形成第三沟槽；所述金属线的第三部分安置在所述第二沟槽与所述第三沟槽之间。所述方法还包含形成第二电介质层于所述第二沟槽和所述第三沟槽内。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 互连 方案 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，其包括：形成第一电介质层于衬底上；形成第一沟槽于所述第一电介质层中；形成金属线于所述第一沟槽中；去除所述金属线的第一部分以形成第二沟槽，并去除所述金属线的第二部分以形成第三沟槽，其中所述金属线的第三部分安置在所述第二沟槽与所述第三沟槽之间；以及形成第二电介质层于所述第二沟槽和所述第三沟槽内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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