[发明专利]具有不同厚度过渡金属二硫属化物层的装置和制造方法有效
| 申请号： | 201510853099.4 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106560924B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 叶凌彦;王昭雄;杨育佳 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L29/24;H01L21/8256 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 路勇<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明是关于具有不同厚度过渡金属二硫属化物层的装置和制造方法。根据本发明的一实施例为一种结构，其包含：在衬底的第一区中的第一有源装置，所述第一有源装置包含二维(2‑D)材料的第一层，所述第一层具有第一厚度；和在所述衬底的第二区中的第二有源装置，所述第二有源装置包含所述2‑D材料的第二层，所述第二层具有第二厚度，所述2‑D材料包含过渡金属二硫属化物TMD，所述第二厚度与所述第一厚度不同。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 不同 厚度 过渡 金属 二硫属化物层 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种结构，所述结构具有具不同厚度的过渡金属二硫属化物层，其包括：/n在衬底的第一区中的第一有源装置，所述第一有源装置包括二维2-D材料的第一层，所述第一层具有第一厚度且包括所述2-D材料的多个子层；以及/n在所述衬底的第二区中的第二有源装置，所述第二有源装置包括所述2-D材料的第二层，所述第二层具有第二厚度且为所述2-D材料的单一子层，所述2-D材料包括过渡金属二硫属化物TMD，所述第二厚度小于所述第一厚度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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