[发明专利]元件的金属栅极方案及形成所述金属栅极方案的方法有效
| 申请号： | 201510853179.X | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106558501B | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 吴仲强;李家庆;李达元;曹学文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及元件的金属栅极方案及形成所述金属栅极方案的方法。更具体的，本发明描述栅极结构及形成所述栅极结构的方法。在一些实施例中，一种方法包含在衬底中形成源极区/漏极区，及在所述源极区/漏极区之间形成栅极结构。所述栅极结构包含所述衬底上方的栅极介电层、所述栅极介电层上方的功函数调谐层、所述功函数调谐层上方的含金属化合物以及所述含金属化合物上方的金属，其中所述含金属化合物包括所述金属作为所述化合物的元素。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 金属 栅极 方案 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，其包括：在衬底中形成第一源极/漏极区及第二源极/漏极区；以及在所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间且在所述衬底上方形成栅极结构，所述栅极结构包括：所述衬底上方的栅极介电层，所述栅极介电层上方的功函数调谐层，所述功函数调谐层上方的含金属化合物，以及所述含金属化合物上方的金属，其中所述含金属化合物包括所述金属作为所述化合物的元素，且其中所述含金属化合物包括C、N、O或其组合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
