[发明专利]一种MEMS麦克风制造方法有效
| 申请号： | 201510854726.6 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN105516879B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 袁超 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H04R31/00 | 分类号： | H04R31/00;H04R19/04 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;尹英 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS麦克风制造方法，包括在衬底中形成一深槽，在深槽中填充牺牲层材料并平坦化，形成下极板和上极板，形成上、下极板的接触孔，形成引线窗口，在上极板中形成释放孔，研磨衬底背面，露出深槽中的牺牲层材料，进行释放工艺，去除牺牲层材料，因此无需通过背面工艺即可形成MEMS麦克风结构，可大大降低工艺复杂度，更易于与CMOS工艺集成，并提高成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 麦克风 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS麦克风制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，在衬底中形成一具有MEMS麦克风空腔图形的深槽；在所述深槽中填充牺牲层材料并平坦化；再次沉积牺牲层材料；沉积下极板材料并图形化，形成下极板；再次沉积牺牲层材料并图形化；沉积上极板材料并图形化，形成上极板；沉积介质层材料并图形化，形成上、下极板的接触孔；沉积电连接金属层材料并图形化，形成电连接部；沉积保护层并图形化，形成电连接部的引线窗口；在上极板中形成释放孔；研磨衬底背面，露出深槽中的牺牲层材料；进行释放工艺，去除牺牲层材料，形成空腔，并形成MEMS麦克风结构。
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