[发明专利]一种快速响应的湿度传感器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201510854739.3 申请日: 2015-11-30
公开(公告)号: CN105510404B 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: 左青云;师兰芳 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: G01N27/22 分类号: G01N27/22
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;尹英
地址: 201210 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域,公开了一种快速响应的湿度传感器及其制造方法,其包括衬底、金属叉指电极层以及湿敏材料层,湿敏材料层分布于金属叉指电极层之间以及上表面,湿敏材料层上具有至少一个用于增大湿敏材料层表面积的凹槽。本发明通过在现有叉指电极型湿度传感器制造工艺中去除部分湿敏材料,在湿敏材料层中形成单个或多个凹槽,从而暴露更多的湿敏材料的表面积于待测环境中,可以有效缩短水分子的运动路径,进而提高湿度传感器响应速度;本发明无需额外增加传感器制造成本,制造工艺简单,显著改善了湿度传感器性能,且制备方法与传统的CMOS工艺完全兼容。
搜索关键词: 一种 快速 响应 湿度 传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种快速响应的湿度传感器,其特征在于,所述湿度传感器包括:衬底,所述衬底的表面具有绝缘层,所述绝缘层中具有金属连接线;金属叉指电极层,其位于所述绝缘层的上表面;湿敏材料层,分布于所述金属叉指电极层之间以及上表面,所述湿敏材料层上具有多个用于增大所述湿敏材料层表面积、缩短水分子运动路径的凹槽,所述凹槽按预设间隔排布在所述金属叉指电极层的上方,用于将湿敏材料层的多个上表面以及侧面暴露于待测环境中。
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