[发明专利]高发光效率发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201510855764.3 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN105514233A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 孙玉芹;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高发光效率发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。该高发光效率发光二极管外延片包括：衬底，以及依次覆盖在衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层、P型AlGaN层和P型GaN载流子层，多量子阱有源层包括交替生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层；P型AlGaN层包括依次覆盖在多量子阱有源层上的第一P型AlGaN子层、u型GaN子层和第二P型AlGaN子层。不仅可以降低P型GaN载流子层中空穴翻越P型AlGaN层所需要的势能，同时还能在u型GaN子层中形成量子态，P型GaN载流子层中势能低于翻越P型AlGaN层所需要的势能的空穴，会通过量子隧穿效应隧穿到u型GaN子层中，进而传输到量子阱中，增加了注入多量子阱有源层中的空穴浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 效率 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高发光效率发光二极管外延片，所述高发光效率发光二极管外延片包括：衬底，以及依次覆盖在所述衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层、P型AlGaN层和P型GaN载流子层，所述多量子阱有源层包括交替生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层；其特征在于，所述P型AlGaN层包括依次覆盖在所述多量子阱有源层上的第一P型AlGaN子层、u型GaN子层和第二P型AlGaN子层，所述u型GaN子层的厚度为所述P型AlGaN层的厚度的1/50‑1/40。
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