[发明专利]一种低损耗光纤预制棒的制造方法

摘要

本发明一种低损耗光纤预制棒的制造方法涉及的是一种低损耗光纤预制棒的制造方法。一种低损耗光纤预制棒的制造方法，（1）用轴向气相沉积法制得芯层疏松体母材，（2）在石墨烧结炉中对疏松体母材进行脱羟和玻璃化处理，脱羟时烧结炉内通入Cl₂和He；（3）将脱羟和玻璃化处理后玻璃棒用车床进行延伸至合适外径，制得预制棒的芯层部分；（4）以芯层为基础在其表面用外气相沉积法制得预制棒包层疏松体母材；（5）最后再对预制棒包层疏松体母材进行脱羟和玻璃化处理，包层疏松体母材的脱羟和玻璃化过程利用烧结炉不同温区同时进行，在2～5mm/min匀速向下移动通过烧结炉高温区，达到设定长度后即完成脱羟和玻璃化过程，制成一种低损耗光纤预制棒。

主权项

一种低损耗光纤预制棒的制造方法，其特征在于：步骤如下：（1）用轴向气相沉积法制得芯层疏松体母材，在一个密闭的石英腔体内通过多个沉积喷灯经化学反应后生成二氧化硅粉末，生成的二氧化硅粉末在一个旋转上升的吊杆末端持续堆积，吊杆的移动速度一般在30～40mm/h，最终制成疏松体母材；（2）在石墨烧结炉中对疏松体母材进行脱羟和玻璃化处理，脱羟时烧结炉内通入Cl₂和He，气体流量根据预制棒的参数进行调整， Cl₂流量在500～1500mL/min，He流量在10～15L/min，脱羟时母材从下向上移动，移动速度在5～10mm/min，烧结炉脱羟温度为900～1200℃，脱羟结束后母材下降至烧结炉底部，母材从下向上移动进行玻璃化处理，移动速度在4～8mm/min，玻璃化过程烧结炉内只通入He，玻化温度为1200～1500℃； （3）将脱羟和玻璃化处理后玻璃棒用车床进行延伸至合适外径，制得预制棒的芯层部分，延伸后芯层外径在45～50mm；（4）以芯层为基础在其表面用外气相沉积法制得预制棒包层疏松体母材，将上述延伸后芯棒两端分别对接把棒，对接后玻璃棒放置到可旋转的车床上，通过多个可沿轴向移动的沉积喷灯生成二氧化硅粉末，生成的二氧化硅粉末在该旋转的玻璃棒上不断沉积长大，达到设定重量或设定旋转回数后停止沉积，制得预制棒包层疏松体母材；（5）最后再对预制棒包层疏松体母材进行脱羟和玻璃化处理，包层疏松体母材的脱羟和玻璃化过程利用烧结炉不同温区同时进行，即母材按一定速度，在2～5mm/min匀速向下移动通过烧结炉高温区，烧结炉温度为1200～1500℃，移动过程中烧结炉内通入Cl₂和He， Cl₂流量在500～2000mL/min，He流量在10～25L/min，完成脱羟和玻璃化过程后，制成低损耗光纤预制棒。