[发明专利]氢气传感器芯体用介质材料、氢气传感器芯体及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201510859185.6 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN105424768B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 陈浩;谢贵久;陈伟;白庆星;龚星 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | G01N27/22 | 分类号： | G01N27/22 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周长清 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氢气传感器芯体用介质材料、氢气传感器芯体及其制备方法和应用，氢气传感器芯体用介质材料为非晶碳；氢气传感器芯体依次包括基片、由非晶碳构成的介质层和氢气敏感层；制备方法包括以下步骤：（1）先清洗基片表面，再去除基片表面的自然氧化层；（2）在经过步骤（1）处理后的基片表面制备非晶碳薄膜；（3）在非晶碳薄膜表面上制备氢气敏感层。非晶碳成分简单，化学性质稳定，特别适合制备高稳定性、长寿命的电子器件。本发明的氢气传感器芯体所制备的MOS电容薄膜氢气传感器能够检测到的氢气浓度下限达10ppm，而且响应时间和脱氢时间小于25s。本发明的氢气传感器芯体的制备方法，工艺简单，材料及加工成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 氢气 传感器 体用 介质 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种氢气传感器芯体的制备方法，包括以下步骤：（1）先清洗基片表面，再去除基片表面的自然氧化层；（2）在经过步骤（1）处理后的基片表面制备非晶碳薄膜；（3）在非晶碳薄膜表面上制备氢气敏感层；所述步骤（2）中，制备非晶碳薄膜的方法为离子束溅射；所述非晶碳薄膜为N掺杂非晶碳薄膜，N在N掺杂非晶碳中的原子百分含量＜15%；所述非晶碳薄膜的厚度为2nm～300nm；所述离子束溅射的工艺为：采用石墨靶材作为溅射源，以N2和Ar的混合气体作为起辉和溅射气体，N2和Ar的分压比为1∶2～1∶6，离子能量450eV～650eV，离子束流40mA～60mA，放电电压35V～55V，加速电压60V～100V。
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