[发明专利]用于互连的结构和方法有效
| 申请号： | 201510859230.8 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106558534B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 黄建桦;蔡政勋;李忠儒;蔡承孝 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/535 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于互连的结构和方法。根据本发明一实施例的方法包含：在第一电介质材料层中提供具有第一导电特征的衬底；在所述第一电介质材料层上形成第一蚀刻终止层，其中所述第一蚀刻终止层由高k电介质材料形成；在所述第一蚀刻终止层上形成第二蚀刻终止层；在所述第二蚀刻终止层上形成第二电介质材料层；在所述第二电介质材料层上形成经图案化掩模层；在所述第二电介质材料层和所述第二蚀刻终止层中形成第一沟槽；穿过所述第一沟槽移除所述第一蚀刻终止层的一部分以借此形成第二沟槽，其中移除所述第一蚀刻终止层的所述部分包含将溶液施加到所述第一蚀刻终止层的所述部分；以及在所述第二沟槽中形成第二导电特征。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 互连 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，其包括：在第一电介质材料层中提供具有第一导电特征的衬底；在第一电介质材料层上形成第一蚀刻终止层，其中所述第一蚀刻终止层由高k电介质材料形成；在所述第一蚀刻终止层上形成第二蚀刻终止层；在所述第二蚀刻终止层上形成第二电介质材料层；在所述第二电介质材料层上形成经图案化掩模层；在所述第二电介质材料层和所述第二蚀刻终止层中形成第一沟槽；穿过所述第一沟槽移除所述第一蚀刻终止层的一部分以借此形成第二沟槽，其中移除所述第一蚀刻终止层的所述部分包含将溶液施加到所述第一蚀刻终止层的所述部分；以及在所述第二沟槽中形成第二导电特征，其中所述第二导电特征电连接到所述第一导电特征。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
