[发明专利]半导体元件及制造方法有效
| 申请号： | 201510859529.3 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106328537B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 布莱戴恩·杜瑞兹;阿尔杨·阿法赖恩 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体元件及制造方法。更具体的，本发明提供一种半导体元件及使用半导体鳍片制造半导体元件的方法。在实施例中，从衬底形成所述鳍片，覆盖所述鳍片的中间区段，且接着移除所述鳍片的在所述中间区段的两侧上的部分。接着执行一系列布植，且形成栅极介电质及栅极电极以从所述鳍片形成隧穿场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体元件的方法，所述方法包括：/n从半导体衬底形成鳍片；/n从所述鳍片的第一拐角区移除第一区段，所述第一拐角区包括位于中间区段的一侧的第一暴露端的区域，所述第一区段包括所述第一暴露端的第一纵向鳍片部分，其中所述鳍片的所述第一暴露端的其他部分保留而未被移除；/n从所述鳍片的第二拐角区移除第二区段，所述第二拐角区包括位于所述中间区段的另一侧的第二暴露端的区域，所述第二区段包括所述第二暴露端的第二纵向鳍片部分，其中所述鳍片的所述第二暴露端与所述第一暴露端相对，且其中所述鳍片的所述第二暴露端的其他部分保留而未被移除；/n布植第一掺杂物以在所述鳍片内形成第一源极/漏极区；以及/n布植第二掺杂物以在所述鳍片内形成与所述第一源极/漏极区物理接触的第二源极/漏极区，其中与所述第一源极/漏极区相比，所述第二源极/漏极区具有相反导电性。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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