[发明专利]半导体装置的制造方法及光致抗蚀剂有效
| 申请号： | 201510859540.X | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106406034B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 訾安仁;张庆裕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 王芝艳;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供半导体装置的制造方法及光致抗蚀剂，此方法包含形成光致抗蚀剂材料在基底上，光致抗蚀剂材料具有聚合物其包含具有链段和联结基的主链，链段包含碳链和紫外线可硬化基，紫外线可硬化基耦接至碳链和联结基；实施第一曝光工艺其经由将联结基从每个链段的连接的紫外线可硬化基去耦接来打断聚合物主链；实施第二曝光工艺以形成图案化的光致抗蚀剂层；以及显影图案化的光致抗蚀剂层。本发明的半导体装置的制造方法和光致抗蚀剂可提供更准确的图案化、更清楚的图案解析度、更低的重加工或废料率及/或其他的益处。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 光致抗蚀剂 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：形成一光致抗蚀剂材料在一基底上，该光致抗蚀剂材料具有一聚合物其包含一具有两个链段及一联结基的主链，该两个链段的每一个包含一碳链连接于一紫外线可硬化基，其中每个该紫外线可硬化基与该联结基耦接；实施一第一曝光工艺，其经由将该联结基与该两个链段的每一个的该紫外线可硬化基去耦接来打断该聚合物的该主链；实施一第二曝光工艺，以形成一图案化的光致抗蚀剂层；以及将该图案化的光致抗蚀剂层显影。
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