[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201510859637.0 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106486531B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 杨育佳;叶凌彦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L29/78;H01L29/24 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括具有第一边缘的过渡金属二硫化物层，此第一边缘具有锯齿状原子配置。金属材料具有与过渡金属二硫化物层重叠的部分。金属材料具有与过渡金属二硫化物层的第一边缘接触的第二边缘。藉由形成接触过渡金属二硫化物层的金属边缘的接触插塞，接触电阻显著减少。另一方面，过渡金属二硫化物层的半导电边缘可用于某些地方(诸如栅电极的下方)，以减少漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：/n一过渡金属二硫化物层，该过渡金属二硫化物层包含具有一锯齿状原子配置的一第一边缘；/n一场效晶体管，包含：/n一栅极介电质，该栅极介电质与该过渡金属二硫化物层的一中间部分重叠，其中该过渡金属二硫化物层包含一第一源极/漏极区域、一第二源极/漏极区域以及从该第一源极/漏极区域延伸至该第二源极/漏极区域的一第二边缘，且该第二边缘具有一扶手椅原子配置；以及/n一栅电极覆盖该栅极介电质，其中该第二边缘的一部分与该栅电极重叠；以及/n一金属材料，该金属材料具有与该过渡金属二硫化物层重叠的一部分，其中该金属材料包含接触该过渡金属二硫化物层的该第一边缘的一边缘。/n
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