[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201510859727.X | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106469713B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 张世明;石志聪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包含设置于基底上的基底特征部件，基底特征部件具有延伸于第一方向的第一长度及延伸于第二方向的第二长度，第一长度大于第二长度，装置更包含设置于基底上的第一材料特征部件，第一材料特征部件具有与基底特征部件物理接触的第一表面及相对于第一表面的第二表面，第一表面具有延伸于第一方向的第三长度及延伸于第二方向的第四长度，第三长度大于第四长度，第二表面具有延伸于第一方向的第五长度及延伸于第二方向的第六长度，第六长度大于第五长度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：一基底特征部件，设置于一基底上，其中该基底特征部件具有延伸于一第一方向的一第一长度及延伸于一第二方向的一第二长度，其中该第一长度大于该第二长度；以及一第一材料特征部件，设置于该基底上，其中该第一材料特征部件具有一与该基底特征部件物理接触的第一表面及一相对于该第一表面的第二表面，其中该第一材料特征部件延伸于该第一方向的一长度自该第一表面至该第二表面随着该第一材料特征部件的一高度增加而连续地缩小，其中该第一材料特征部件延伸于该第二方向的一长度自该第一表面至该第二表面随着该第一材料特征部件的该高度增加而连续地增大，其中该第一表面具有延伸于该第一方向的一第三长度及延伸于该第二方向的一第四长度，其中该第三长度大于该第四长度，其中该第二表面具有延伸于该第一方向的一第五长度及延伸于该第二方向的一第六长度，其中该第六长度大于该第五长度。
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