[发明专利]制造一半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201510860185.8 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN105990104B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 赖韦翰;张庆裕;林进祥;吴承翰;王筱姗 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00;G03F7/26 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王芝艳;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造一半导体装置的方法。该方法包括：形成一材料层于一基板之上；形成一负型光致抗蚀剂层于该材料层之上；对该负型光致抗蚀剂层执行一曝光工艺；对该负型光致抗蚀剂层执行一曝光后烘烤工艺；在该曝光工艺与该曝光后烘烤工艺之后，以一溶剂来处理该负型光致抗蚀剂层；该溶剂包含具有一大于正乙酸丁酯的偶极矩的一化学品。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 一半 导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造一半导体装置的方法，包括：/n形成一材料层于一基板之上，其中该材料层具有一酸度；/n涂布一负型光致抗蚀剂层于该材料层之上；/n对该负型光致抗蚀剂层执行一曝光工艺；/n对该负型光致抗蚀剂层执行一曝光后烘烤工艺；/n在该曝光后烘烤工艺之后显影该负型光致抗蚀剂层，其中光致抗蚀剂残渣残留于一被显影的负型光致抗蚀剂层的一底部，其中该光致抗蚀剂残渣是由于该负型光致抗蚀剂层对于该材料层的该酸度的一敏感度而产生；以及/n使用一溶剂自该被显影的负型光致抗蚀剂层移除该光致抗蚀剂残渣，其中该溶剂包含具有一大于正乙酸丁酯的偶极矩的一化学品，其中该溶剂还包含一添加剂，该添加剂包括胺类衍生物。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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