[发明专利]大规模的集成AMR磁电阻器有效
| 申请号： | 201510860677.7 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106291414B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | D·帕希;M·马彻西;M·莫里利 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R33/00 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 本公开涉及大规模的集成AMR磁电阻器。集成AMR磁电阻传感器具有布置在彼此顶部上的磁电阻器、设置/重置线圈、以及屏蔽区域。设置/重置线圈定位在磁电阻器和屏蔽区域之间。磁电阻器由细长形状的磁电阻条体形成，磁电阻条体具有在平行于优选磁化方向的第一方向上的长度和在垂直于第一方向的第二方向上的宽度。设置/重置线圈具有横向于磁电阻条体延伸的至少一个伸展。屏蔽区域为铁磁材料，并且具有在第二方向上的大于磁电阻条体的宽度的宽度，以便于衰减遍历磁电阻条体的外部磁场并且增加磁电阻传感器的灵敏度尺度。 | ||
| 搜索关键词： | 大规模 集成 amr 磁电 | ||
【主权项】：
1.一种各向异性磁电阻(AMR)类型的集成磁电阻传感器，包括：/n第一磁电阻单元，包括：/n磁电阻器，包括细长形状的磁电阻条体，所述磁电阻条体具有在平行于优选磁化方向的第一方向上的长度和在垂直于所述第一方向的第二方向上的宽度；/n设置/重置线圈，具有横向于所述第一方向延伸的伸展；以及/n铁磁材料的屏蔽区域，具有在所述第二方向上的大于所述磁电阻条体的宽度的宽度。/n
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