[发明专利]形成鳍片式场效应晶体管装置的方法有效
| 申请号： | 201510860680.9 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106024711B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 布莱戴恩杜瑞兹;马汀克里斯多福荷兰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成鳍片式场效应晶体管装置之方法，晶体管其方法包含：提供由第一半导体材料形成的基板，其中该基板包含多个隔离区域；将该基板的上部部分蚀刻除去以形成多个沟槽，其中每一沟槽位于两个邻近隔离区域之间；经由外延生长工艺使多个半导体鳍片在该基板的上的这些沟槽中过度生长，其中这些半导体鳍片的上部部分位于这些隔离区域的顶表面上方；将平坦化工艺应用于这些半导体鳍片，其中由于应用该平坦化工艺的该步骤的执行，这些半导体鳍片的顶表面与这些隔离区的顶表面相齐；以及将缺陷半导体鳍片移除以形成空沟槽。由于在半导体装置的顶表面上具有差排缺陷的机率较低，所以利用本发明的形成鳍片式场效应晶体管的方法可得到无缺陷FinFET装置。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 鳍片式 场效应 晶体管 装置 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种形成鳍片式场效应晶体管装置的方法，其特征在于，包含以下步骤：提供由一第一半导体材料形成的一基板，其中该基板包含多个隔离区域；将该基板的上部部分蚀刻除去以形成多个沟槽，其中每一沟槽位于两个邻近隔离区域之间；经由一外延生长工艺使多个半导体鳍片在该基板之上的这些沟槽中过度生长，其中这些半导体鳍片的上部部分位于这些隔离区域的顶表面上方；将一平坦化工艺应用于这些半导体鳍片，其中由于应用该平坦化工艺的该步骤的执行，这些半导体鳍片的顶表面与这些隔离区域的顶表面相齐；以及将一缺陷半导体鳍片移除以形成一空沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
