[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供半导体装置的制造方法，包含形成鳍式结构，其包含阱层、阱层上的氧化物层和氧化物层上的通道层。形成隔离绝缘层使得通道层从隔离绝缘层突出，且至少一部份的氧化物层嵌入隔离绝缘层内。形成栅极结构于鳍式结构的一部分和隔离绝缘层上。通过蚀刻一部分鳍式结构，形成凹陷部，以暴露出阱层的表面。形成外延层于暴露的阱层和通道层上。将形成在暴露的阱层上的外延层改质，使改质层对碱性溶液的蚀刻选择性较未改质的外延层增加。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括：形成一鳍式结构，包含一阱层、一该阱层上的氧化物层和一该氧化物层上的通道层；形成一隔离绝缘层，使得该鳍式结构的该通道层从该隔离绝缘层突出，且至少一部分或整体的该氧化物层嵌入该隔离绝缘层内；在一部分该鳍式结构上和该隔离绝缘层上形成一栅极结构；通过蚀刻该鳍式结构未被该栅极结构覆盖的一部分，形成一凹陷部，以移除该氧化物层和暴露出该阱层的一表面；在该暴露的阱层上和该凹陷部内的该通道层上形成一外延层；以及将形成在该暴露的阱层上的该外延层改质为一改质层，使得该改质层对一碱性溶液的蚀刻选择性较一未改质的外延层增加，其中通过注入一P型杂质实施该外延层的改质，该P型杂质为硼，且硼的剂量在1×10¹⁵离子/cm²到1×10¹⁶离子/cm²的范围内。