[发明专利]光刻技术显影成分及用于光刻技术图案化的方法

摘要

一种光刻技术显影成分及用于光刻技术图案化之方法，用于光刻技术图案化之方法包括以下步骤：提供基板；在此基板之上形成材料层；将此材料层的一部分暴露于辐射；且在显影剂中移除此材料层的一未暴露部分，产生图案化材料层。显影剂具有大于1.82的Log P值且含有有机溶剂。在一实施例中，有机溶剂为由化学式CH₃R₅CHR₄CHR₃CHR₂COOCH₂R₁表示的乙酸正丁酯衍生物，其中R₁、R₂、R₃、R₄，及R₅各自选自由以下各者组成的群组：氢基、甲基、乙基、及氟烷基。由此显影剂所形成的抗蚀剂图案具有低的线边缘粗糙度及线宽度粗糙度，因此，本发明的显影剂能够在光刻工艺中提供高的图案保真度。

主权项

1.一种用于光刻技术图案化的方法，其特征在于，包含以下步骤：提供一基板；在该基板上形成一材料层；将该材料层的一部分暴露于一辐射；以及在一显影剂中移除该材料层的一未曝露部分，产生一图案化材料层，其中该显影剂包含一有机溶剂且具有大于1.82的一Log P值，该有机溶剂是由以下化学式表示：其中R1、R2、R3、R4及R5中的各者是选自由以下各者组成的群组：氢基、甲基、乙基、及氟烷基，且R1、R2、R3、R4及R5之其中一者不为氢基，当R1、R2、R3及R4为氢基则R5为乙基或氟烷基，以及当R1、R2、R3及R5为氢基则R4为乙基或氟烷基。