[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201510861055.6 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106169495B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 巫凱雄;鬼木悠丞 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种在半导体结构上方提供绝缘特征的方法。所述方法包括以下步骤：在半导体基板上方形成鳍状结构，在鳍状结构上方形成氧化物层，其中形成氧化物层的步骤包括在鳍状结构上利用溶剂混合物执行湿式化学氧化制程，在氧化物层上方形成介电层，以及在半导体结构上方形成至少一个绝缘特征。其中，所述溶剂混合物为基于非质子性溶剂的溶液可降低半导体基板的蚀刻速度，从而使溶液所形成的氧化物层产生充足的厚度。所揭露的方法用以改良绝缘特征，以提供具有更佳绝缘特征的STI特征。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，所述方法包括：在半导体基板上方形成鳍状结构；在所述鳍状结构上方形成氧化物层，其中形成所述氧化物层包括利用溶剂混合物在所述鳍状结构上执行湿式化学氧化制程，所述溶剂混合物包括水溶性物质及非质子性溶剂；在所述氧化物层上方形成介电层；以及在所述半导体结构上方形成至少一个绝缘特征。
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