[发明专利]一种MEMS压阻式加速度传感器及其加工方法有效
| 申请号： | 201510863889.0 | 申请日： | 2015-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN105353167B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 周志健;朱二辉;陈磊;杨力建;邝国华 | 申请（专利权）人： | 广东合微集成电路技术有限公司 |
| 主分类号： | G01P15/12 | 分类号： | G01P15/12 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 523808 广东省东莞市松山湖高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种MEMS压阻式加速度传感器，包括衬底硅以及用于形成加速度传感器的顶层硅，所述衬底硅与所述顶层硅相对绝缘设置，所述顶层硅远离所述衬底硅的一侧为晶圆表面，所述晶圆表面并位于所述加速度传感器外部设置有电隔离沟槽，在所述顶层硅上并设置有连通所述晶圆表面以及所述衬底硅的导电结构，衬底硅与加速度传感器构成机械可动电容结构；通过设计一种MEMS压阻式加速度传感器，其可以通过静电力使加速度传感器产生变形而引起压阻结构电阻值得变化，进而产生输出信号，从而实现晶圆级自检测功能，降低传感器检测成本。本发明还公开一种MEMS压阻式加速度传感器的加工方法，用于加工如上所述的MEMS压阻式加速度传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 压阻式 加速度 传感器 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS压阻式加速度传感器，其特征在于,包括衬底硅以及用于形成加速度传感器的顶层硅，所述衬底硅与所述顶层硅相对绝缘设置，所述顶层硅远离所述衬底硅的一侧为晶圆表面，所述晶圆表面并位于所述加速度传感器外部设置有电隔离沟槽，在所述顶层硅上设置有连通所述晶圆表面以及所述衬底硅的导电结构，衬底硅与加速度传感器构成机械可动电容结构。
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