[发明专利]一种高压肖特基二极管有效
| 申请号： | 201510864419.6 | 申请日： | 2015-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN105355666B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 卢晔 | 申请（专利权）人： | 成都九十度工业产品设计有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/45;H01L29/47;H01L21/329 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 刘世权 |
| 地址： | 610000 四川省成都市武侯区武侯*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压肖特基二极管，其特征在于：包括衬底、外延层、金属接触层和保护层；所述衬底上表面外延生长有外延层；多个沟槽，间隔形成于所述外延层中；所述金属接触层设于外延层的上表面；所述金属接触层两端各设有一个欧姆接触金属，肖特基接触金属设置于金属接触层的中心部位，欧姆接触金属与肖特基接触金属之间设置有源层；所述肖特基接触金属上表面设有保护层；所述欧姆接触为高压肖特基二极管的阴极；所述肖特基接触为高压肖特基二极管的阳极。本发明高压肖特基二极管能够提高反向偏压，减小反向漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基二极管 金属接触层 肖特基接触 外延层 欧姆接触金属 保护层 上表面 金属 阴极 衬底上表面 反向漏电流 阳极 反向偏压 欧姆接触 外延生长 衬底 减小 源层 | ||
【主权项】：
1.一种高压肖特基二极管，其特征在于：包括衬底、外延层、金属接触层和保护层；所述衬底上表面外延生长有外延层；多个沟槽，间隔形成于所述外延层中；所述金属接触层设于外延层的上表面；所述金属接触层两端各设有一个欧姆接触金属，肖特基接触金属设置于金属接触层的中心部位，欧姆接触金属与肖特基接触金属之间设置有源层；所述肖特基接触金属上表面设有保护层；所述欧姆接触为高压肖特基二极管的阴极；所述肖特基接触为高压肖特基二极管的阳极；所述沟槽的槽壁介质采用的是SiO2，厚度为1 um～3um,深度为2 um～7um,沟槽的间隔宽度为1 um～2um，沟槽的宽度为0.5um，所述沟槽的开口直径小于底部的直径；所述沟槽内填充有P型硅；所述肖特基接触金属所采用的是Ni或Ti，肖特基接触金属的厚度为1.3um，肖特基接触金属的厚度大于有源层的厚度。
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