[发明专利]LED芯片及其制作方法有效
申请号: | 201510865709.2 | 申请日: | 2015-12-02 |
公开(公告)号: | CN105355729B | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 徐亮;何键云 | 申请(专利权)人: | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/64;H01L33/52 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫 |
地址: | 528226 广东省佛山市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法,在多个发光微结构的N型电极和P型电极背离蓝宝石衬底一侧固定一基板,减薄和切割蓝宝石衬底,填充发光微结构和基板之间的空隙,激光剥离衬底,再切割成单个的LED芯片,使发光微结构充分固定在基板上,有效地防止放光微结构发生脱焊和碎裂,提高利率。 | ||
搜索关键词: | 微结构 衬底 基板 发光 蓝宝石 切割 碎裂 激光剥离 有效地 减薄 脱焊 填充 制作 背离 利率 | ||
【主权项】:
1.一种LED芯片的制作方法,其特征在于,包括:提供一蓝宝石衬底;在所述蓝宝石衬底任意一表面形成多个发光微结构,所述发光微结构包括位于所述蓝宝石衬底表面的N型氮化镓层,位于所述N型氮化镓层背离所述蓝宝石衬底一侧的有源层和N型电极,位于所述有源层背离所述蓝宝石衬底一侧的P型氮化镓层,位于所述P型氮化镓层背离所述蓝宝石衬底一侧的导电反射膜层,位于所述导电反射膜层背离所述蓝宝石衬底一侧的P型电极,所述N型电极与所述P型电极之间相互绝缘;采用焊接的方式将所述发光微结构焊接到一基板上,在所述基板对应所述N型电极的区域、且背离所述蓝宝石衬底一侧形成N型连接电极,且在所述基板对应所述P型电极的区域、且背离所述蓝宝石衬底一侧形成P型连接电极;减薄所述蓝宝石衬底至预设厚度范围,并对所述蓝宝石衬底沿发光微结构边缘进行切割;填充所述发光微结构和所述基板之间的空隙,使所述发光微结构充分固定在所述基板上;激光剥离所述蓝宝石衬底;沿所述发光微结构的边缘进行切割,以得到多个LED芯片;填充所述发光微结构和所述基板之间的空隙的方式包括:采用钢网印刷的方式将胶水填充在所述发光微结构和所述基板之间的空隙;所述基板为经过电路布线设计的陶瓷基板或硅基板。
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