[发明专利]一种二氧化碲晶体的表面抛光方法在审
| 申请号： | 201510866046.6 | 申请日： | 2015-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN105458907A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 叶青;黄志文;吴季;王昌运;陈伟 | 申请（专利权）人： | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;C09G1/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350003 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二氧化碲晶体的表面抛光方法，分为粗抛、精抛和无水抛光三个阶段。通过配置氧化铈中心粒径1um、浓度为60~90g/L粗抛悬浊液和钻石粉中心粒径为0.25um、浓度为40~50g/L精抛分散液，在单轴机上分别配合美国环球公司产的55号沥青胶进行粗抛和精抛二氧化碲，去除其表面损伤层和划痕。然后配置钻石粉中心粒径为0.05um、浓度为40~50g/L无水分散液，配合罗门哈斯公司产的黑色抛光绒布，进行手动无水抛光，去除潮解麻点。本发明提供一种二氧化碲晶体的表面抛光方法，使二氧化碲的抛光表面光洁度能达到10/5，粗糙度达到亚纳米级别，符合声光晶体应用的表面质量要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 晶体 表面 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种二氧化碲晶体的表面抛光方法，其特征在于，所述方法步骤如下：首先配置抛光辅料；粗抛方法，在单轴机上，使用粗抛粉悬浊液与沥青盘抛光氧化碲表面，去除粗磨引起的损伤层；精抛方法，在单轴机上，使用精抛粉分散液与沥青盘抛光氧化碲表面，去除粗抛引起的划痕；无水抛光方法，在单轴机上，使用无水抛光粉分散液与黑色抛光绒布抛光氧化碲表面，去除精抛引起的潮解麻点。
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