[发明专利]一种异质结太阳能电池边缘绝缘方法在审
申请号: | 201510866862.7 | 申请日: | 2015-12-02 |
公开(公告)号: | CN106816493A | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 黄巍辉;张超华;罗骞;宋广华;庄辉虎 | 申请(专利权)人: | 钧石(中国)能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362000 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种异质结太阳能电池边缘绝缘方法,包括如下步骤将N型硅片的两面制绒形成金字塔绒面;在制绒后的N型硅片的一面沉积第一本征层和N型非晶硅薄膜层,另一面上沉积第二本征层和P型非晶硅薄膜层;在N型非晶硅薄膜层和P型非晶硅薄膜层上溅射导电膜层;在导电膜层上形成金属栅线电极;在N型硅片背光面P面或受光面N面的四周边缘印刷蚀刻膏;最后烘烤印刷蚀刻膏的N型硅片,然后去除硅片四周边缘导电膜层及蚀刻膏。本发明采用硅片边缘四周印刷蚀刻膏替代溅射导电薄膜过程中压框的方式,使得导电薄膜沉积过程中不再需要使用到压框,硅片的双面可以整面溅射导电膜层,有利于导电膜层的大规模自动化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 异质结 太阳能电池 边缘 绝缘 方法 | ||
【主权项】:
一种异质结太阳能电池边缘绝缘方法,其特征在于,包括如下步骤:将N型硅片的两面制绒形成金字塔绒面;在制绒后的N型硅片的一面沉积第一本征层和N型非晶硅薄膜层,另一面上沉积第二本征层和P型非晶硅薄膜层;在N型非晶硅薄膜层和P型非晶硅薄膜层上溅射导电膜层;在导电膜层上形成金属栅线电极;在N型硅片背光面P面或受光面N面的四周边缘印刷蚀刻膏;烘烤印刷蚀刻膏的N型硅片,去除硅片四周边缘导电膜层及蚀刻膏。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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