[发明专利]NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法有效
| 申请号： | 201510866904.7 | 申请日： | 2015-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN105404473B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 潘立阳;麻昊志;高忠义 | 申请（专利权）人： | 清华大学;清华大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F11/10 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法，其中，NAND FLASH存储器为SLC NAND FLASH存储器，该方法包括：S1，判断NAND FLASH存储器的数据读取是否失效，并在数据读取失效时进入步骤S2；S2，读取失效数据所在数据块中的页数据；S3，将页数据回写至失效数据所在数据块中相对应的数据页中；在页数据回写时，诱发NAND FLASH存储器的浮栅电荷再注入。该数据保持错误恢复方法可以实现NAND FLASH存储器数据保持错误恢复，有效提升NAND FLASH存储器数据可靠性。本发明还公开了另一种NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法。 | ||
| 搜索关键词： | 错误恢复 数据保持 页数据 失效数据 数据读取 数据块 回写 数据可靠性 读取 电荷 数据页 浮栅 诱发 | ||
【主权项】：
1.一种NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法，其特征在于，所述NAND FLASH存储器为SLC NAND FLASH存储器，所述方法包括以下步骤：S1，判断NAND FLASH存储器的数据读取是否失效，并在数据读取失效时进入步骤S2；S2，读取失效数据所在数据块中的页数据；以及S3，将所述页数据回写至所述失效数据所在数据块中相对应的数据页中；其中，在所述页数据回写时，诱发所述NAND FLASH存储器的浮栅电荷再注入以恢复所述失效数据所在数据块存在的保持错误。
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