[发明专利]下电极组件及半导体加工设备在审
| 申请号： | 201510867497.1 | 申请日： | 2015-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN106816397A | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 栾大为 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的下电极组件及半导体加工设备，其包括卡盘、卡盘基座和射频引入件，其中，卡盘基座用于承载卡盘；射频引入件用于将射频电流引入卡盘，其中，在卡盘与卡盘基座之间设置有绝缘支撑件，用以将卡盘与卡盘基座电绝缘；并且，所述卡盘基座接地。分别对应地在卡盘基座和绝缘支撑件中设置有沿其厚度贯穿的通孔，射频引入件由下而上穿过通孔并与卡盘固定连接，且射频引入件分别与卡盘基座和绝缘支撑件相互间隔。本发明提供的下电极组件，其不仅可以减少射频能量的损失，而且还可以提高射频电流回路的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 组件 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
一种下电极组件，包括卡盘、卡盘基座和射频引入件，其中，所述卡盘基座用于承载所述卡盘；所述射频引入件用于将射频电流引入所述卡盘，其特征在于，在所述卡盘与所述卡盘基座之间设置有绝缘支撑件，用以将所述卡盘与所述卡盘基座电绝缘；并且，所述卡盘基座接地；分别对应地在所述卡盘基座和所述绝缘支撑件中设置有沿其厚度贯穿的通孔，所述射频引入件由下而上穿过所述通孔，且与所述卡盘固定连接，并且所述射频引入件分别与所述卡盘基座和所述绝缘支撑件相互间隔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
