[发明专利]一种双磁性隧道结的刻蚀方法

摘要

本发明涉及一种双磁性隧道结的刻蚀方法，具体如下：在需要留下双磁性隧道结堆部分采用光刻法制备出所需形状的硬模板和硬模板缓冲层，接着以按照硬模板形状从顶电极开始刻蚀，需要刻蚀的部分从顶电极开始刻蚀，依次刻蚀掉顶电极、第一反铁磁层和第一钉扎层，到第一隧穿层时停止刻蚀，沉积第一绝缘层，继续刻蚀自由层直到第二隧穿层停止，再沉积第二绝缘层，继续刻蚀第二钉扎层和第二反铁磁层，直到底电极为止，最后将残余的硬模板和硬模板缓冲层刻蚀得到最后形状。本发明的第一和第二绝缘层克服了加工双磁性隧道结过程中容易短路等问题，本方法制备的双磁性隧道结堆具有短路现象少等优点，可用于加工制备基于双磁性隧道结堆的MRAM。

主权项

一种双磁性隧道结的刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)基于双磁性隧道结堆采用光刻法制备得到所需形状的硬模板与硬模板缓冲层，其中所述的双磁性隧道结堆由顶电极(4)、第一反铁磁层(5)、第一钉扎层(6)、第一隧穿层(7)、自由层(8)、第二隧穿层(9)、第二钉扎层(10)、第二反铁磁层(11)、底电极(12)自上而下堆栈组成；(2)从顶电极层开始，根据硬模板的形状进行刻蚀，刻蚀至第一隧穿层后停止刻蚀并沉积第一绝缘层；(3)沉积完后继续刻蚀自由层直到第二隧穿层停止刻蚀，并沉积第二绝缘层；(4)沉积完后继续刻蚀余下层直至底电极，并将剩余的硬模板与硬模板缓冲层刻蚀得到最终刻蚀成品。