[发明专利]III族氮化物低损伤刻蚀方法在审
| 申请号： | 201510868081.1 | 申请日： | 2015-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN105355550A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 刘新宇;黄森;王鑫华;魏珂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吕雁葭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种III族氮化物结构低损伤刻蚀方法，包括：在III族氮化物结构上形成刻蚀掩膜，所述III族氮化物结构形成于衬底上；以及利用刻蚀掩膜对III族氮化物结构进行刻蚀，其特征在于：在刻蚀过程中，衬底温度动态改变或者在200℃到700℃之间的一个恒定温度点保持恒定。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 损伤 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物结构低损伤刻蚀方法，包括：在III族氮化物结构上形成刻蚀掩膜，所述III族氮化物结构形成于衬底上；以及利用刻蚀掩膜对III族氮化物结构进行刻蚀，其特征在于：在刻蚀过程中，衬底温度动态改变或者在200℃到700℃之间的一个恒定温度点保持恒定。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
