[发明专利]一种铜纳米管垂直互连结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201510868215.X | 申请日： | 2015-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN105304611B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 丁英涛;高巍;谢奕;严阳阳;熊苗 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100081 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铜纳米管垂直互连结构的制作方法，属于微电子集成技术领域。本发明首先在基片上制作垂直深孔；在所述的基片表面上制作绝缘层，该绝缘层覆盖所述垂直深孔的内表面；在上述绝缘层表面附着催化剂；在催化剂的帮助下，在绝缘层的表面生长铜纳米管；铜纳米管生长完毕后在深孔中央填充绝缘材料。与常规的基于铜导体的垂直互连技术相比，本发明利用在轴向具有极高电导率和极高热导率的铜纳米管作为传导介质，有利于提高垂直互连的电信号传输性能和整体芯片的散热能力。因此，本发明在微电子集成技术领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米管 垂直互连 深孔 绝缘层 微电子集成 制作 垂直 填充绝缘材料 电信号传输 附着催化剂 绝缘层表面 绝缘层覆盖 表面生长 传导介质 高电导率 高热导率 基片表面 散热能力 整体芯片 常规的 内表面 铜导体 轴向 催化剂 生长 应用 帮助 | ||
【主权项】：
1.一种铜纳米管垂直互连结构，主要包括以下结构：衬底(101)，绝缘层(201)(203)(204)，中心支撑材料(202)，铜纳米管层(302)，金属互连结构(401)(402)，其特征在于，所述的铜纳米管层垂直于衬底，并穿透衬底，所述的中心支撑材料垂直于衬底，并穿透衬底，被铜纳米管层包围，所述的铜纳米管层与衬底之间，由绝缘层隔离。
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