[发明专利]光学防伪元件及其制备方法和光学防伪产品有效
申请号: | 201510868241.2 | 申请日: | 2015-12-01 |
公开(公告)号: | CN106808835B | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 胡春华;李欣毅;吴远启;朱军;张义恒 | 申请(专利权)人: | 中钞特种防伪科技有限公司;中国印钞造币总公司 |
主分类号: | B42D25/30 | 分类号: | B42D25/30;B42D25/36;B42D25/364;B42D25/373;B42D25/378;B42D25/40;B42D25/45;B42D25/465 |
代理公司: | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人: | 曹寒梅;肖冰滨 |
地址: | 100070 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及光学防伪领域,公开了一种光学防伪元件及其制备方法和一种光学防伪产品,该光学防伪元件包括具有相互对立的第一表面和第二表面的基材;位于所述基材的第一表面上的第一起伏结构层,该第一起伏结构层中形成有聚焦元件阵列;位于所述基材的第二表面上的第二起伏结构层,该第二起伏结构层包括背景区域和微图文区域,所述背景区域和所述微图文区域的高度不同且两者之间的边界侧壁与所述基材的第二表面的平面夹角不小于45度,而且所述微图文区域中形成有微图文阵列;以及所述聚焦元件阵列能够对所述微图文阵列进行采样合成从而形成图像。其能够高效率地制作高对比度、高饱和度的彩色微图文阵列,并且具有易识别和抗伪造的特点。 | ||
搜索关键词: | 起伏结构 基材 光学防伪元件 微图文阵列 第二表面 微图文 光学防伪产品 聚焦元件阵列 背景区域 第一表面 制备 高饱和度 高对比度 光学防伪 平面夹角 高效率 易识别 采样 侧壁 合成 图像 伪造 对立 制作 | ||
【主权项】:
1.一种光学防伪元件,该光学防伪元件包括:具有相互对立的第一表面和第二表面的基材(1);位于所述基材(1)的第一表面上的第一起伏结构层(7),该第一起伏结构层(7)中形成有聚焦元件阵列(71);位于所述基材(1)的第二表面上的第二起伏结构层(2),该第二起伏结构层(2)包括背景区域(B)和微图文区域(A),所述背景区域(B)和所述微图文区域(A)的高度不同且两者之间的边界侧壁与所述基材(1)的第二表面的平面夹角不小于45度,而且所述微图文区域(A)中形成有微图文阵列(21),其中,所述背景区域(B)中形成有镀层(3),所述微图文区域(A)中没有镀层,并且其中,所述背景区域(B)中的镀层(3)上形成有保护层(4);以及所述聚焦元件阵列(71)能够对所述微图文阵列(21)进行采样合成从而形成图像。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中钞特种防伪科技有限公司;中国印钞造币总公司,未经中钞特种防伪科技有限公司;中国印钞造币总公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510868241.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。