[发明专利]一种MEMS压阻式复合传感器及其加工方法在审
| 申请号： | 201510868610.8 | 申请日： | 2015-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN105424090A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 周志健;陈磊;朱二辉;杨力建;邝国华 | 申请（专利权）人： | 上海芯赫科技有限公司 |
| 主分类号： | G01D21/02 | 分类号： | G01D21/02;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种MEMS压阻式复合传感器，包括衬底硅以及用于形成加速度传感器、压力传感器以及温度传感器的顶层硅，衬底硅与顶层硅相对绝缘设置，顶层硅远离衬底硅的一侧为晶圆表面，晶圆表面并位于加速度传感器外部设置有电隔离沟槽，在顶层硅上并设置有连通晶圆表面以及衬底硅的导电结构，衬底硅与加速度传感器构成机械可动电容结构；通过设计一种MEMS压阻式复合传感器，其加速度传感器可以通过静电力使加速度传感器产生变形而引起压阻结构电阻值的变化，进而产生输出信号，从而实现晶圆级自检测功能，降低传感器检测成本。本发明还公开一种MEMS压阻式复合传感器的加工方法，用于加工如上的MEMS压阻式复合传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 压阻式 复合 传感器 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS压阻式复合传感器，其特征在于,包括衬底硅以及用于形成加速度传感器、压力传感器以及温度传感器的顶层硅，所述衬底硅与所述顶层硅相对绝缘设置，所述顶层硅远离所述衬底硅的一侧为晶圆表面，所述晶圆表面并位于所述加速度传感器外部设置有电隔离沟槽，在所述顶层硅上并设置有连通所述晶圆表面以及所述衬底硅的导电结构,衬底硅与加速度传感器构成机械可动电容结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海芯赫科技有限公司，未经上海芯赫科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510868610.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：双向变磁阻式涡轮流量变送装置
- 下一篇：一种纸箱质量检验检测方法
