[发明专利]ITO图案的制备方法、基板的制备方法及基板和终端在审
| 申请号： | 201510869645.3 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN105632892A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 杨利平 | 申请（专利权）人： | 东莞酷派软件技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市松山湖高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种ITO图案的制备方法、基板的制备方法及基板和终端，其中，ITO图案的制备方法包括：在基板本体的非ITO图案区上形成可用第一物质去除的可去除膜层；在形成有可去除膜层的基板本体上形成ITO膜层；利用超声波清洗工艺去除所述基板本体上的所述可去除膜层及所述可去除膜层上的所述ITO膜层，得到所需ITO图案。该技术方案通过去除非ITO图案区上的膜层得到所需ITO膜层的方式相对于传统的采用掩膜板形成ITO图案的方式而言，省去了曝光显影、刻蚀剥离等工艺以及省去了掩膜板的使用，从而简化了制备工艺，降了低ITO膜层图案的制备成本。此外该技术方案，利用超声波清洗工艺清洗掉可去除膜层相比于传统的擦拭、溶解而言，能够提高去除效率、节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | ito 图案 制备 方法 终端 | ||
【主权项】：
一种ITO图案的制备方法，其特征在于，包括：在基板本体的非ITO图案区上形成可用第一物质去除的可去除膜层；在形成有所述可去除膜层的基板本体上形成ITO膜层；利用超声波清洗工艺去除所述基板本体上的所述可去除膜层及所述可去除膜层上的所述ITO膜层，得到所需ITO图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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