[发明专利]半导体存储器装置

摘要

本发明公开一种半导体存储器装置，半导体存储器装置包含2个TFT MOS晶体管、2个主体MOS晶体管、第一及第二存取MOS晶体管以及第一及第二电容器。TFT MOS晶体管及主体MOS晶体管形成用于保持在第一与第二节点之间反相的数据的闩锁。第一主体存取MOS晶体管根据字符线的电压切换第一节点以连接至第一位线。第二主体存取MOS晶体管根据字符线的电压切换第二节点以连接至第二位线。第一电容器设置于第一节点与电源电压之间。第二电容器设置于第二节点与电源电压之间。主体MOS晶体管及存取MOS晶体管通过嵌入式栅极型MOS晶体管形成。

主权项

1.一种半导体存储器装置，其为电容器存储器类型，包括：2个TFT型P‑通道MOS晶体管及2个TFT型N‑通道MOS晶体管，构成用于保持在第一节点与第二节点之间反相的数据的闩锁；第一主体存取MOS晶体管，根据字符线的电压切换所述第一节点以连接至或不连接至第一位线；第二主体存取MOS晶体管，根据所述字符线的所述电压切换所述第二节点以连接至或不连接至第二位线；第一电容器，设置于所述第一节点与电源电压之间；以及第二电容器，设置于所述第二节点与所述电源电压之间，其中所述4个TFT型MOS晶体管分别是垂直型的TFT型MOS晶体管，且包含第一P‑通道MOS晶体管、第二P‑通道MOS晶体管、第一N‑通道MOS晶体管以及第二N‑通道MOS晶体管，其中所述第一P‑通道MOS晶体管与所述第一N‑通道MOS晶体管具有同一栅极并形成第一反相器，且所述第二P‑通道MOS晶体管与所述第二N‑通道MOS晶体管具有同一栅极并形成第二反相器。