[发明专利]晶片加工方法有效
| 申请号： | 201510870094.2 | 申请日： | 2015-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN106816359B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 彭宇霖 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的晶片加工方法，其使用具有双通道进气喷嘴的半导体加工设备加工晶片，该半导体加工设备包括反应腔室，在该反应腔室内设置有用于承载晶片的承载装置；双通道进气喷嘴设置在反应腔室的顶部，且位于承载装置的上方，并且双通道进气喷嘴包括中心通道和环绕在中心通道周围的环形通道，晶片加工方法包括：工艺步骤，对晶片进行加工工艺，且在进行加工工艺时通过环形通道向反应腔室内输送工艺气体；吹扫步骤，在工艺步骤之前和/或之后，通过中心通道朝向晶片表面输送吹扫气体。本发明提供的晶片加工方法，其不仅可以有效去除在晶片表面上残留的冷凝颗粒，而且还可以去除反应腔室内产生的氢卤酸等的工艺残气。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种晶片加工方法，其特征在于，使用具有双通道进气喷嘴的半导体加工设备加工晶片，所述半导体加工设备包括反应腔室，在所述反应腔室内设置有用于承载晶片的承载装置；所述双通道进气喷嘴设置在所述反应腔室的顶部，且位于所述承载装置的上方，并且所述双通道进气喷嘴包括中心通道和环绕在所述中心通道周围的环形通道，所述晶片加工方法包括：工艺步骤，对晶片进行加工工艺，且在进行所述加工工艺时通过所述环形通道向所述反应腔室内输送工艺气体；吹扫步骤，在所述工艺步骤之前和/或之后，通过所述中心通道朝向晶片表面输送吹扫气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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