[发明专利]层转移工艺有效
申请号: | 201510870819.8 | 申请日: | 2015-12-02 |
公开(公告)号: | CN105679699B | 公开(公告)日: | 2020-05-22 |
发明(设计)人: | V·雷诺;M·勒孔特 | 申请(专利权)人: | SOITEC公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762;H01L21/78 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种层转移工艺。用于转移有用层(40)的工艺包括下列步骤:a)提供施主衬底(10),所述施主衬底包括中间层(30)、承载衬底(20)和有用层(40),中间层(30)适于变软;b)提供受主衬底(50);c)组装受主衬底(50)和施主衬底(10);以及d)对受主衬底(50)和施主衬底(10)进行热处理,该热处理在高于第一温度的第二温度下进行,所述工艺的特征在于,中间层(30)不含易于放气的物质,而且,形成了附加层(60),所述附加层(60)包括适于在步骤d)中扩散到中间层(30)中并在中间层中形成弱化区(31)的化学物质。 | ||
搜索关键词: | 转移 工艺 | ||
【主权项】:
一种用于将有用层(40)转移至受主衬底(50)的工艺,所述工艺包括下列步骤:a)提供施主衬底(10),所述施主衬底包括位于承载衬底(20)与有用层(40)之间的中间层(30),中间层(30)适于在第一温度下变软;b)提供受主衬底(50);c)组装受主衬底(50)和施主衬底(10),使得有用层(40)和中间层(30)被夹在承载衬底(20)与受主衬底(50)之间;以及d)在步骤c)之后对受主衬底(50)和施主衬底(10)进行热处理,该热处理在高于第一温度的第二温度下进行,所述工艺的特征在于,中间层(30)不含易于放气的物质,所述工艺的特征还在于,形成了附加层(60),所述附加层(60)包括适于在步骤d)中扩散到中间层(30)中并在中间层中形成弱化区(31)的化学物质。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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