[发明专利]多晶硅薄膜晶体管元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510872131.3 | 申请日： | 2015-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN105448999B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 萧翔允;陈佳楷;林世亮;许庭毓;王培筠;黄雅琴;江丞伟 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭蔚 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制作多晶硅薄膜晶体管元件的方法，包括下列步骤。提供基板，并形成具有多个掺质的缓冲层于基板上。形成非晶硅层于具有掺质的缓冲层上。进行热制程，将非晶硅层多晶化以转换成多晶硅层，并同时将缓冲层内的一部分的掺质向外扩散至多晶硅层内以调整起始电压。图案化多晶硅层，以形成有源层。形成栅极绝缘层于有源层上。形成栅极于栅极绝缘层上。形成源极掺杂区与漏极掺杂区于有源层内。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜晶体管 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作多晶硅薄膜晶体管元件的方法，其特征在于，包括：提供一基板；形成一具有多个掺质(dopant)的缓冲层于该基板上；形成一非晶硅层于具有该多个掺质的该缓冲层上；进行一热制程，将该非晶硅层多晶化以转换成一多晶硅层，并同时将该缓冲层内的一部分的该多个掺质向外扩散至该多晶硅层内以调整起始电压(threshold voltage)；图案化该多晶硅层，以形成一有源层；形成一栅极绝缘层于该有源层上；形成一栅极于该栅极绝缘层上；以及形成一源极掺杂区与一漏极掺杂区于该有源层内；其中，该缓冲层内的该多个掺质包括P型掺质或N型掺质。
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