[发明专利]一种具有低插入损耗的MEMS压电谐振器在审
申请号: | 201510873190.2 | 申请日: | 2015-12-03 |
公开(公告)号: | CN105391420A | 公开(公告)日: | 2016-03-09 |
发明(设计)人: | 鲍景富;李昕熠;张超;秦风;鲍飞鸿;张翼 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H03H9/24 | 分类号: | H03H9/24 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 李明光 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明属于射频通信及微机电系统中的元器件技术领域,涉及一种具有低插入损耗的MEMS压电谐振器,该谐振器采用叉指形状的输入、输出换能电极,使得谐振块上施加的驱动力分布更加均匀,解决了由于宽度增加带来的电极换能器应力分布不均匀的问题,包括基底、支撑台、谐振块、支撑梁,所述谐振块上设置压电薄膜,压电薄膜上设置输入、输出换能电极,输入、输出换能电极通过位于支撑梁上的金属走线与位于支撑台上的外部互连金属区连接导通,其特征在于,所述输入、输出换能电极呈叉指形状分布。本发明压电谐振器,在谐振频率不改变的情况下,通过增加谐振块的宽度w来减小动态阻抗R、并提升品质因数,进而大大降低谐振器的插入损耗。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 插入损耗 mems 压电 谐振器 | ||
【主权项】:
一种具有低插入损耗的MEMS压电谐振器,包括基底、设置于基底上的支撑台、谐振块、用于连接谐振块与支撑台的支撑梁,所述谐振块上设置压电薄膜,压电薄膜上设置输入、输出换能电极,输入、输出换能电极通过位于支撑梁上的金属走线与位于支撑台上的外部互连金属区连接导通,其特征在于,所述输入、输出换能电极呈叉指形状分布。
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