[发明专利]一种氮掺杂石墨烯电极材料的制备方法

摘要

一种氮掺杂石墨烯电极材料的制备方法，本发明涉及电极材料的制备方法。本发明要解决现有石墨烯电极材料难以在保证循环稳定性的条件下大幅提高比电容值的问题。本发明的方法：首先在集电极材料表面制备石墨烯，再通过等离子体气相沉积设备，将氮气用射频电源离化，轰击石墨烯材料表面。本发明用于氮掺杂石墨烯电极材料的制备方法。

主权项

一种氮掺杂石墨烯电极材料的制备方法，其特征在于它是按照以下步骤进行的：一、制备表面生长石墨烯的集电极材料：利用等离子体增强化学气相沉积真空装置或者化学气相沉积装置在集电极材料上生长石墨烯，得到表面生长石墨烯的集电极材料；二、将表面生长石墨烯的集电极材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，抽真空至压强为5Pa以下，通入氮气，调节氮气气体流量为5sccm～50sccm，调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为100Pa～1000Pa，并在压强为100Pa～1000Pa和氮气气氛下，在20min～30min内将温度升温至300℃～800℃；三、调节氮气气体流量为5sccm～100sccm，调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为200Pa～500Pa，然后在射频功率为50W～200W、压强为200Pa～500Pa和温度为300℃～800℃的条件下进行轰击，轰击时间为1min～30min；四、轰击结束后，在氮气气氛下，从温度为300℃～800℃自然冷却至室温，得到氮掺杂石墨烯电极材料。